时间：2024/01/08
作者：From 半导体芯闻
天津大学及美国乔治亚理工学院专家组成的国际团队，成功制造出世界首个石墨烯半导体，其在室温环境下速度较硅快10倍以上，对制造出更快更小的电子设备具重要意义。相关论文已刊登在《自然》（Nature）期刊。
据报道，该篇已刊于《自然》网站的《碳化硅上的超高迁移率半导体外延石墨烯》论文，共同第一作者分别为赵健、纪佩璇、李雅奇、李睿四人，其他多位署名作者主要来自天津大学研究团队，以及美国乔治亚理工学院的研究人员。
团队指导教师天津大学讲席教授，天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心执行主任马雷向第一财经表示，这项石墨烯半导体研究，是以天津大学的团队为主导，而网传由美方主导一说只为误传。
马雷表示，研究成果发现于2021年下半年，上述论文成文于2022年。研究由文章的署名作者之一 Walt A. de Heer提点研究方向，马雷带领的中国研究团队承担主要研究和攻关工作。“这在论文的‘Contribution’部分已经写得很清楚。”他表示。
马雷又指，这应该是世上第一个用石墨烯制成的功能半导体。
根据论文摘要，马雷的研究团队使用特殊熔炉在由有机薄膜覆盖的碳化硅晶圆上生长石墨烯时生产了大面积单晶类石墨烯材料。由于它是一种在碳化硅晶面上生长的物质，结构外延石墨烯几乎一样但是没有较好的导电性。
据测量数据表明，这种半导体石墨烯在室温具有硅的10倍以上的迁移率。
马雷研究团队表示，该研究对石墨烯电子学走向实用化具有重大意义。不过距离石墨烯半导体完全落地，估计还要10到15年。
